 для авіації і космосу.){kind=link}
Nýlega hefur verið tilkynnt um kynningu á 1 Gbit (128 MB) STT-MRAM stakum minnisflögum fyrir fluggeimforrit. Þetta er margfalt þéttara segulviðnámsminni en það sem áður var boðið upp á. Raunverulegur þéttleiki staðsetningar STT-MRAM minnisþátta eykst 64 sinnum ef við tölum um vörur fyrirtækisins Micross, sem framleiðir ofuráreiðanlega rafræna fyllingu fyrir geim- og varnariðnaðinn.
STT-MRAM Micross flögurnar eru byggðar á tækni bandaríska fyrirtækisins Avalanche Technology. Avalanche var stofnað árið 2006 af Peter Estakhri, ættaður frá Lexar og Cirrus Logic. Auk Avalanche, Everspin og Samsung. Sá fyrsti vinnur í samvinnu við GlobalFoundries og einbeitir sér að útgáfu innbyggðs og stakra STT-MRAM með tæknilegum stöðlum upp á 22 nm, og sá síðari (Samsung) en sleppir STT-MRAM í formi 28 nm blokka sem eru innbyggðir í stýringar. Blokk af STT-MRAM með afkastagetu upp á 1 Gb, við the vegur, Samsung kynnt fyrir tæpum þremur árum.
Verðleika Micross má líta á sem útgáfu stakra 1Gbit STT-MRAM, sem er auðvelt að nota í rafeindatækni í stað NAND-flass. STT-MRAM minni starfar á stærra hitastigi (frá -40°C til 125°C) með næstum óendanlega mörgum endurskrifunarlotum. Hann er ekki hræddur við geislun og hitabreytingar og getur geymt gögn í frumum í allt að 10 ár, svo ekki sé minnst á meiri les- og skrifhraða og minni orkunotkun.
Mundu að STT-MRAM minni geymir gögn í frumum í formi segulvæðingar. Þessi áhrif komu í ljós árið 1974 við þróun harða diska hjá IBM. Nánar tiltekið, þá fundust segulviðnámsáhrifin, sem þjónaði sem grundvöllur MRAM tækni. Löngu síðar var lagt til að breyta segulmagni minnislagsins með því að nota rafeindasnúning (segulmagnið augnablik) flutningsáhrif. Þannig var skammstöfunin STT bætt við nafnið MRAM. Stefna spintronics í rafeindatækni byggir á flutningi á snúningi, sem dregur mjög úr neyslu á flísum vegna afar lítillar strauma í ferlinu.
Lestu líka: