Japanskur framleiðandi örrása Kioxia þróað flash minni NAND með um það bil 170 lögum, og sameinast bandarískum hliðstæða Micron Technology og Suður-Kóreu SK Hynix í þróun háþróaðrar tækni.
Nýja NAND-minnið var þróað ásamt bandarískum samstarfsaðila Western Digital og getur skráð gögn tvöfalt hraðar en núverandi toppvara Kioxia, sem samanstendur af 112 lögum.
Kioxia, sem áður var þekkt sem Toshiba Memory, ætlar að afhjúpa nýja NAND sitt á International Solid State Conference, árlegum alþjóðlegum vettvangi hálfleiðaraiðnaðarins, og ætlar að hefja fjöldaframleiðslu strax á næsta ári.
Það vonast til að mæta eftirspurninni sem tengist gagnaverum og snjallsímum, þar sem útbreiðsla fimmtu kynslóðar þráðlausrar tækni leiðir til aukins magns og hraða gagnaflutninga. En samkeppnin á þessu sviði er þegar farin að harðna: Micron og SK Hynix eru að kynna nýjar vörur sínar.
Kioxia hefur einnig tekist að passa fleiri minnisfrumur á hvert lag með nýja NAND, sem þýðir að það getur gert flísar 30% minni en aðrar með sama minni. Minni örrásir munu leyfa meiri sveigjanleika við gerð snjallsíma, netþjóna og annarra vara.
Til að auka framleiðslu á flassminni ætla Kioxia og Western Digital að hefja byggingu 9,45 milljarða dala verksmiðju í Yokkaido í Japan í vor. Stefnt er að því að taka fyrstu línurnar í notkun strax árið 2022.
Lestu líka: