Gert er ráð fyrir því Samsung mun tilkynna upphaf fjöldaframleiðslu á 3nm flögum í næstu viku, segir Yonhap News. Þetta setur fyrirtækið framar TSMC, sem er gert ráð fyrir að hefja framleiðslu á 3nm flísum á seinni hluta þessa árs.
Í samanburði við 5nm ferlið (sem var notað fyrir Snapdragon 888 og Exynos 2100) mun 3nm hnútur Samsung minnka svæðið um 35%, auka afköst um 30% og draga úr orkunotkun um 50%.
Þetta verður náð með því að skipta yfir í Gate-All-Around (GAA) smára hönnun. Það er næsta skref á eftir FinFET, þar sem það gerir kleift að minnka stærð smára án þess að skerða getu þeirra til að leiða straum. GAAFET hönnunin sem notuð er á 3nm hnútnum er sýnd á myndinni hér að neðan.
Joe Biden, forseti Bandaríkjanna, heimsótti verksmiðjuna í síðasta mánuði Samsung í Pyeongtaek til að taka þátt í sýningu á 3nm tækni Samsung. Á síðasta ári voru orðrómar um að fyrirtækið gæti fjárfest 10 milljarða dollara í byggingu 3nm steypu í Texas. Þessar fjárfestingar hafa vaxið í 17 milljarða dollara. Gert er ráð fyrir að verksmiðjan taki til starfa árið 2024.
Í öllum tilvikum er mesta áhyggjuefnið þegar þú býrð til nýjan hnút er framleiðsla. Í október á síðasta ári Samsung fram að frammistaða 3nm ferlisins sé "nálgast sama stig og 4nm ferlisins". Þrátt fyrir að fyrirtækið hafi ekki lagt fram opinberar tölur, telja sérfræðingar að 4 nm hnúturinn Samsung tengdist framleiðsluvandamálum.
Búist er við annarri kynslóð 3nm hnút árið 2023 og vegvísir fyrirtækisins inniheldur einnig 2nm MBCFET-byggðan hnút árið 2025.
Þú getur hjálpað Úkraínu að berjast gegn rússnesku innrásarhernum. Besta leiðin til að gera þetta er að gefa fé til hersins í Úkraínu í gegnum Bjarga lífi eða í gegnum opinberu síðuna NBU.
Lestu líka:
Skildu eftir skilaboð